Tranzistor se110 je jedním z klíčových prvků v elektronice a je široce používán v různých zařízeních. Odkazuje na tranzistory v terénu a má své vlastní vlastnosti, které je třeba vzít v úvahu při práci s nimi.
Jednou z nejdůležitějších vlastností tranzistoru se110 je jeho podstavec. V případě SE110 je to SOT-23. Jedná se o miniaturní tělo, které má tři piny a malé rozměry. To umožňuje efektivní využití tranzistoru v různých obvodech a zařízeních, kde jsou omezené velikosti.
Důležité je také znát základní parametry tranzistoru se110. Má vysokou spínací frekvenci, nízkou hlučnost a nízký odpor kanálu. Díky tomu je velmi univerzálním prvkem při navrhování a vytváření rádiových vysílačů, zesilovačů a dalších zařízení ve vysokofrekvenčním rozsahu.
Je důležité poznamenat, že tranzistor se110 může běžet v rozsahu napětí až 20 V a proud až 500 mA. To umožňuje použití v obvodech, kde je vyžadována práce s vysokými hodnotami napětí a proudu.
Tranzistor se110 je spolehlivým a široce používaným prvkem elektroniky. Díky své kompaktní velikosti a vysokým vlastnostem je obzvláště žádaný v moderních zařízeních. Znalost jeho podstavce a základních parametrů umožňuje správné použití tranzistoru a dosažení vysokých výsledků při vývoji elektronických zařízení.
Tranzistor SE110: hlavní vlastnosti a podstavec
Hlavní vlastnosti tranzistoru se110:
- Typ: N-kanálový MOSFET
- Maximální napětí odtokového zdroje (vDS): 20 v
- Maximální proud odtoku (ID): 3.5 A
- Maximální proud závěrky (IG): 300 mA
- Napětí závěrky-zdroj (VGS): ±20 v
- Maximální výkon (PD): 2 W
- Teplotní rozsah: -65 ° C až +150 ° C
Sokl tranzistoru se110 splňuje standardní parametry:
- Spojovací noha (Drain) - D
- Řídicí noha (Gate) - G
- Zdroj (Source) - S
Tranzistor se110 je široce používán v elektronických zařízeních pro zesílení a přepínání signálů. Jeho hlavní vlastnosti a podstavec umožňují efektivní kontrolu elektronického toku a jeho použití v různých oblastech, včetně audio a video zařízení, napájecích obvodů, omezovačů a dalších řídicích obvodů.
Účel a aplikace tranzistoru se110
Účelem tranzistoru se110 je zesílit elektrické signály, ovládat proud nebo zapínat/vypínat elektrické obvody.
Díky své konstrukci a základním parametrům, jako je vysoká rychlost přepínání, nízký odpor zapnutí, vysoké hodnoty proudu a napětí, nachází se110 tranzistor uplatnění v široké škále elektronických zařízení a systémů. Může být použit v radioelektronice, telekomunikačních systémech, napájecích zdrojích, automatickém řízení a dalších oblastech.
Tranzistor se110 lze také použít v digitálních obvodech k ovládání logických jednotek a přepínání mezi stavy.
| Základní parametry | Hodnota |
|---|---|
| Typ tranzistoru | PNP |
| Maximální hodnota sběrného proudu (Ic) | 100 mA |
| Maximální hodnota napětí kolektor-emitor (Vce) | 60 v |
| Maximální hodnota ztrátového výkonu (Pd) | 300 MW |
| Proudový zisk (hfe) | 30-120 |
| Výkonový zisk (hfc) | ≥ 0.1 |
Popis soklu
Tranzistor se110 má následující sokl:
| PIN | Jméno | Popis |
|---|---|---|
| 1 | Emitor | PIN emitoru, používá se k připojení externího obvodu kolektorového proudu a přenosu elektronického proudu |
| 2 | Základ | PIN base, monitoruje elektronický tok mezi emitorem a kolektorem, působí jako vstupní ovládání |
| 3 | Kolektor | Kolektorový PIN, shromažďuje elektronický tok z emitoru a přenáší jej po zesílení do vnějšího zatěžovacího obvodu |
Pro úspěšný provoz tranzistoru SE110 je nutné správně připojit každý pin k příslušným prvkům obvodu.
Základní parametry tranzistoru se110
- Typ: N-kanál MOSFET
- Podstavec: TO-92
- Maximální průtokové napětí (VDS): 60 v
- Maximální napětí odtoku-pramene (VGS): ±20 v
- Maximální proud odtoku (ID): 0.2 A
- Maximální výkon rozptýlený na odtoku (PD): 0.36 W
- Ohmický odpor odtoku-původ (RDS (on)): 6 ohmů
- Napětí prahu závěrky (VGS (th)): 1.5 V - 3.5 V
- Teplotní rozsah: -55 °C až +150 ° C
Tranzistor se110 se používá v různých elektronických obvodech pro řízení a regulaci proudu.